A2T18S261W12NR3

NXP Semiconductors / Freescale

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Présentation du produit

Modèle de produit:	A2T18S261W12NR3
Fabricant / marque:	NXP Semiconductors / Freescale
Description du produit	AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Livret des spécifications:
Etat du stock	1549 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1549 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

250 pcs: $23.769

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Spécifications de A2T18S261W12NR3

Modèle de produit	A2T18S261W12NR3	Fabricant	NXP Semiconductors / Freescale
La description	AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO	État sans plomb / État RoHS
Quantité disponible	1549 pcs	Fiche technique
Tension - Test	28V	Tension - Nominale	65V
Transistor Type	LDMOS	Package composant fournisseur	OM-880X-2L2L
Séries	-	Alimentation - sortie	280W
Package / Boîte	OM-880X-2L2L	Autres noms	935338749528
Noise Figure	-	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	3 (168 Hours)
Gain	18.2dB	La fréquence	1.805GHz ~ 1.88GHz
Description détaillée	RF Mosfet LDMOS 28V 1.5A 1.805GHz ~ 1.88GHz 18.2dB 280W OM-880X-2L2L	Note actuelle	10µA
Courant - Test	1.5A

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Après vente
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