PHB38N02LT,118

NXP USA Inc.

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Présentation du produit

Modèle de produit:	PHB38N02LT,118
Fabricant / marque:	NXP USA Inc.
Description du produit	MOSFET N-CH 20V 44.7A D2PAK
Livret des spécifications:
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	5893 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5893 pcs

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Spécifications de PHB38N02LT,118

Modèle de produit	PHB38N02LT,118	Fabricant	NXP USA Inc.
La description	MOSFET N-CH 20V 44.7A D2PAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	5893 pcs	Fiche technique
Tension - Test	800pF @ 20V	Tension - Ventilation	D2PAK
Vgs (th) (Max) @ Id	16 mOhm @ 25A, 5V	La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Séries	TrenchMOS™	État RoHS	Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	44.7A (Tc)	Polarisation	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms	568-2191-2 934057586118 PHB38N02LT /T3	Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Référence fabricant	PHB38N02LT,118	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	15.1nC @ 5V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	1.5V @ 250µA	Fonction FET	N-Channel
Description élargie	N-Channel 20V 44.7A (Tc) 57.6W (Tc) Surface Mount D2PAK	Tension drain-source (Vdss)	-
La description	MOSFET N-CH 20V 44.7A D2PAK	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	20V
Ratio de capacité	57.6W (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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