PMF280UN,115

NXP Semiconductors / Freescale

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Présentation du produit

Modèle de produit:	PMF280UN,115
Fabricant / marque:	NXP Semiconductors / Freescale
Description du produit	MOSFET N-CH 20V 1.02A SOT323
Livret des spécifications:
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	4800 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4800 pcs

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Spécifications de PMF280UN,115

Modèle de produit	PMF280UN,115	Fabricant	NXP Semiconductors / Freescale
La description	MOSFET N-CH 20V 1.02A SOT323	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	4800 pcs	Fiche technique
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA	Vgs (Max)	±8V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	SOT-323-3
Séries	TrenchMOS™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	340 mOhm @ 200mA, 4.5V
Dissipation de puissance (max)	560mW (Tc)	Emballage	Cut Tape (CT)
Package / Boîte	SC-70, SOT-323	Autres noms	568-7413-1
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	45pF @ 20V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	0.89nC @ 4.5V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	1.8V, 4.5V	Tension drain-source (Vdss)	20V
Description détaillée	N-Channel 20V 1.02A (Tc) 560mW (Tc) Surface Mount SOT-323-3	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	1.02A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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