PMT760EN,115

NXP Semiconductors / Freescale

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Présentation du produit

Modèle de produit:	PMT760EN,115
Fabricant / marque:	NXP Semiconductors / Freescale
Description du produit	MOSFET N-CH 100V SC-73
Livret des spécifications:
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	6909 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6909 pcs

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Spécifications de PMT760EN,115

Modèle de produit	PMT760EN,115	Fabricant	NXP Semiconductors / Freescale
La description	MOSFET N-CH 100V SC-73	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	6909 pcs	Fiche technique
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	SOT-223
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	950 mOhm @ 800mA, 10V
Dissipation de puissance (max)	800mW (Ta), 6.2W (Tc)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	TO-261-4, TO-261AA	Autres noms	934066918115
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	160pF @ 80V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	3nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V	Tension drain-source (Vdss)	100V
Description détaillée	N-Channel 100V 900mA (Ta) 800mW (Ta), 6.2W (Tc) Surface Mount SOT-223	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	900mA (Ta)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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