PSMN017-30LL,115

NXP Semiconductors / Freescale

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Présentation du produit

Modèle de produit:	PSMN017-30LL,115
Fabricant / marque:	NXP Semiconductors / Freescale
Description du produit	MOSFET N-CH QFN3333
Livret des spécifications:
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	3460 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3460 pcs

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Spécifications de PSMN017-30LL,115

Modèle de produit	PSMN017-30LL,115	Fabricant	NXP Semiconductors / Freescale
La description	MOSFET N-CH QFN3333	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	3460 pcs	Fiche technique
Vgs (th) (Max) @ Id	2.15V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	8-DFN3333 (3.3x3.3)
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	17 mOhm @ 5A, 10V
Dissipation de puissance (max)	37W (Tc)	Emballage	Cut Tape (CT)
Package / Boîte	8-VDFN Exposed Pad	Autres noms	568-5580-1 PSMN01730LL115
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	526pF @ 15V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V	Tension drain-source (Vdss)	30V
Description détaillée	N-Channel 30V 15A (Tc) 37W (Tc) Surface Mount 8-DFN3333 (3.3x3.3)	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	15A (Tc)

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Après vente
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