
| Modèle de produit | PSMN7R6-60XSQ | Fabricant | NXP Semiconductors / Freescale |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 60V TO220AB | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Quantité disponible | 4142 pcs | Fiche technique | |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.6V @ 1mA | Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | TO-220F |
| Séries | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.8 mOhm @ 25A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 46W (Tc) | Emballage | Tube |
| Package / Boîte | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | Autres noms | 568-12475 934069171127 PSMN7R6-60XS,127 PSMN7R6-60XSQ-ND |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2651pF @ 30V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 38.7nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 60V |
| Description détaillée | N-Channel 60V 51.5A (Tc) 46W (Tc) Through Hole TO-220F | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 51.5A (Tc) |
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