PSMN1R7-60BS,118

Nexperia USA Inc.

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Présentation du produit

Modèle de produit:	PSMN1R7-60BS,118
Fabricant / marque:	Nexperia
Description du produit	MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Livret des spécifications:	PSMN1R7-60BS,118.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	54779 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 54779 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

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1600 pcs: $0.537

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Spécifications de PSMN1R7-60BS,118

Modèle de produit	PSMN1R7-60BS,118	Fabricant	Nexperia USA Inc.
La description	MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	54779 pcs	Fiche technique	PSMN1R7-60BS,118.pdf
Tension - Test	9997pF @ 30V	Tension - Ventilation	D2PAK
Vgs (th) (Max) @ Id	2 mOhm @ 25A, 10V	Vgs (Max)	10V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Séries	-
État RoHS	Tape & Reel (TR)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	120A (Tc)
Polarisation	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Autres noms	1727-7106-2 568-9476-2 568-9476-2-ND 934065175118 PSMN1R760BS118
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Référence fabricant	PSMN1R7-60BS,118
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	137nC @ 10V	type de IGBT	±20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	4V @ 1mA	Fonction FET	N-Channel
Description élargie	N-Channel 60V 120A (Tc) 306W (Tc) Surface Mount D2PAK	Tension drain-source (Vdss)	-
La description	MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	60V
Ratio de capacité	306W (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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