PSMN2R9-25YLC,115

Nexperia USA Inc.

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Présentation du produit

Modèle de produit:	PSMN2R9-25YLC,115
Fabricant / marque:	Nexperia
Description du produit	MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
Livret des spécifications:	1.PSMN2R9-25YLC,115.pdf 2.PSMN2R9-25YLC,115.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	237886 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 237886 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1500 pcs: $0.131

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Spécifications de PSMN2R9-25YLC,115

Modèle de produit	PSMN2R9-25YLC,115	Fabricant	Nexperia USA Inc.
La description	MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	237886 pcs	Fiche technique	1.PSMN2R9-25YLC,115.pdf 2.PSMN2R9-25YLC,115.pdf
Tension - Test	2083pF @ 12V	Tension - Ventilation	LFPAK56, Power-SO8
Vgs (th) (Max) @ Id	3.15 mOhm @ 25A, 10V	Vgs (Max)	4.5V, 10V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Séries	-
État RoHS	Tape & Reel (TR)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	100A (Tc)
Polarisation	SC-100, SOT-669	Autres noms	1727-5301-2 568-6731-2 568-6731-2-ND 934065202115 PSMN2R925YLC115
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Référence fabricant	PSMN2R9-25YLC,115
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	33nC @ 10V	type de IGBT	±20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	1.95V @ 1mA	Fonction FET	N-Channel
Description élargie	N-Channel 25V 100A (Tc) 92W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8	Tension drain-source (Vdss)	-
La description	MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	25V
Ratio de capacité	92W (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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