QJD1210010

Powerex, Inc.

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Présentation du produit

Modèle de produit:	QJD1210010
Fabricant / marque:	Powerex, Inc.
Description du produit	MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
Livret des spécifications:	1.QJD1210010.pdf 2.QJD1210010.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	3312 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3312 pcs

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Spécifications de QJD1210010

Modèle de produit	QJD1210010	Fabricant	Powerex, Inc.
La description	MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	3312 pcs	Fiche technique	1.QJD1210010.pdf 2.QJD1210010.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 10mA	Package composant fournisseur	Module
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 100A, 20V
Puissance - Max	1080W	Emballage	Bulk
Package / Boîte	Module	Température de fonctionnement	-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	10200pF @ 800V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	500nC @ 20V	type de FET	2 N-Channel (Dual)
Fonction FET	Silicon Carbide (SiC)	Tension drain-source (Vdss)	1200V (1.2kV)
Description détaillée	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 100A (Tc) 1080W Chassis Mount Module	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	100A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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