RMPG06BHE3_A/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

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Présentation du produit

Modèle de produit:	RMPG06BHE3_A/54
Fabricant / marque:	Vishay Semiconductor Diodes Division
Description du produit	DIODE GEN PURP 100V 1A MPG06
Livret des spécifications:	RMPG06BHE3_A/54.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	1035666 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1035666 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

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Spécifications de RMPG06BHE3_A/54

Modèle de produit	RMPG06BHE3_A/54	Fabricant	Vishay Semiconductor Diodes Division
La description	DIODE GEN PURP 100V 1A MPG06	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	1035666 pcs	Fiche technique	RMPG06BHE3_A/54.pdf
Tension - Inverse de crête (max)	Standard	Tension - directe (Vf) (max) @ Si	1A
Tension - Ventilation	MPG06	Séries	-
État RoHS	Tape & Reel (TR)	Temps de recouvrement inverse (trr)	Fast Recovery = 200mA (Io)
Résistance @ Si, F	6.6pF @ 4V, 1MHz	Polarisation	MPG06, Axial
Température d'utilisation - Jonction	150ns	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Référence fabricant	RMPG06BHE3_A/54
Description élargie	Diode Standard 100V 1A Through Hole MPG06	Configuration diode	5µA @ 100V
La description	DIODE GEN PURP 100V 1A MPG06	Courant - fuite, inverse à Vr	1.3V @ 1A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)	100V	Capacité à Vr, F	-55°C ~ 150°C

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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DHL	www.DHL.com	À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays.
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