2SJ162-E

Renesas Electronics America

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Présentation du produit

Modèle de produit:	2SJ162-E
Fabricant / marque:	Renesas Electronics America
Description du produit	MOSFET P-CH 160V 7A TO-3P
Livret des spécifications:	2SJ162-E.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	2700 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2700 pcs

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Spécifications de 2SJ162-E

Modèle de produit	2SJ162-E	Fabricant	Renesas Electronics America
La description	MOSFET P-CH 160V 7A TO-3P	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	2700 pcs	Fiche technique	2SJ162-E.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	-	Vgs (Max)	±15V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-3P
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Dissipation de puissance (max)	100W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-3P-3, SC-65-3	Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	900pF @ 10V
type de FET	P-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	160V
Description détaillée	P-Channel 160V 7A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-3P	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	7A (Ta)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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