HAT2174H-EL-E

Renesas Electronics America

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Présentation du produit

Modèle de produit:	HAT2174H-EL-E
Fabricant / marque:	Renesas Electronics America
Description du produit	MOSFET N-CH 100V 20A 5LFPAK
Livret des spécifications:	HAT2174H-EL-E.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	4437 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4437 pcs

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Spécifications de HAT2174H-EL-E

Modèle de produit	HAT2174H-EL-E	Fabricant	Renesas Electronics America
La description	MOSFET N-CH 100V 20A 5LFPAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	4437 pcs	Fiche technique	HAT2174H-EL-E.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	-	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	LFPAK
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	27 mOhm @ 10A, 10V
Dissipation de puissance (max)	20W (Tc)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	SC-100, SOT-669	Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2280pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	33.5nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	8V, 10V
Tension drain-source (Vdss)	100V	Description détaillée	N-Channel 100V 20A (Ta) 20W (Tc) Surface Mount LFPAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	20A (Ta)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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