NP23N06YDG-E1-AY

Renesas Electronics America

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Présentation du produit

Modèle de produit:	NP23N06YDG-E1-AY
Fabricant / marque:	Renesas Electronics America
Description du produit	MOSFET N-CH 60V 23A 8HSON
Livret des spécifications:	NP23N06YDG-E1-AY.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	4722 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4722 pcs

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Spécifications de NP23N06YDG-E1-AY

Modèle de produit	NP23N06YDG-E1-AY	Fabricant	Renesas Electronics America
La description	MOSFET N-CH 60V 23A 8HSON	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	4722 pcs	Fiche technique	NP23N06YDG-E1-AY.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	8-HSON
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	27 mOhm @ 11.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)	1W (Ta), 60W (Tc)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	8-SMD, Flat Lead Exposed Pad	Autres noms	NP23N06YDG-E1-AY-ND NP23N06YDG-E1-AYTR
Température de fonctionnement	175°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1800pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	41nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	5V, 10V	Tension drain-source (Vdss)	60V
Description détaillée	N-Channel 60V 23A (Tc) 1W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount 8-HSON	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	23A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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