STB6N80K5

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STB6N80K5
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	MOSFET N-CH 800V 4.5A D2PAK
Livret des spécifications:	STB6N80K5.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	38484 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 38484 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

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Spécifications de STB6N80K5

Modèle de produit	STB6N80K5	Fabricant	STMicroelectronics
La description	MOSFET N-CH 800V 4.5A D2PAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	38484 pcs	Fiche technique	STB6N80K5.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 100µA	Vgs (Max)	30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	D2PAK
Séries	SuperMESH5™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.6 Ohm @ 2A, 10V
Dissipation de puissance (max)	85W (Tc)	Emballage	Cut Tape (CT)
Package / Boîte	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Autres noms	497-14974-1
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	255pF @ 100V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	7.5nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	800V
Description détaillée	N-Channel 800V 4.5A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount D2PAK	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	4.5A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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