STFW6N120K3

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STFW6N120K3
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	MOSFET N-CH 1200V 3.8A TO-3PF
Livret des spécifications:	STFW6N120K3.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	11789 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 11789 pcs

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Spécifications de STFW6N120K3

Modèle de produit	STFW6N120K3	Fabricant	STMicroelectronics
La description	MOSFET N-CH 1200V 3.8A TO-3PF	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	11789 pcs	Fiche technique	STFW6N120K3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 100µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	ISOWATT-218FX
Séries	SuperMESH3™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4 Ohm @ 2.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)	63W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	ISOWATT218FX	Autres noms	497-12122
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1050pF @ 100V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	34nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	1200V
Description détaillée	N-Channel 1200V 6A (Tc) 63W (Tc) Through Hole ISOWATT-218FX	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	6A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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