STI100N10F7

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STI100N10F7
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	MOSFET
Livret des spécifications:	STI100N10F7.pdf
Etat du stock	120383 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 120383 pcs

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Spécifications de STI100N10F7

Modèle de produit	STI100N10F7	Fabricant	STMicroelectronics
La description	MOSFET	État sans plomb / État RoHS
Quantité disponible	120383 pcs	Fiche technique	STI100N10F7.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	-	Vgs (Max)	-
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	I2PAK (TO-262)
Séries	STripFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Dissipation de puissance (max)	-	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Température de fonctionnement	-
Type de montage	Through Hole	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	60nC @ 25V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	-	Tension drain-source (Vdss)	100V
Description détaillée	N-Channel 100V 80A Through Hole I2PAK (TO-262)	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	80A

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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