STI23NM60N

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STI23NM60N
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	MOSFET N-CH 600V 19A I2PAK
Livret des spécifications:	STI23NM60N.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	26642 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 26642 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

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Spécifications de STI23NM60N

Modèle de produit	STI23NM60N	Fabricant	STMicroelectronics
La description	MOSFET N-CH 600V 19A I2PAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	26642 pcs	Fiche technique	STI23NM60N.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	I2PAK
Séries	MDmesh™ II	Rds On (Max) @ Id, Vgs	180 mOhm @ 9.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)	150W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2050pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	60nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	600V	Description détaillée	N-Channel 600V 19A (Tc) 150W (Tc) Through Hole I2PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	19A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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