STL13NM60N

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STL13NM60N
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	MOSFET N-CH 600V 10A POWERFLAT
Livret des spécifications:	STL13NM60N.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	47482 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 47482 pcs

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Spécifications de STL13NM60N

Modèle de produit	STL13NM60N	Fabricant	STMicroelectronics
La description	MOSFET N-CH 600V 10A POWERFLAT	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	47482 pcs	Fiche technique	STL13NM60N.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	PowerFlat™ (8x8) HV
Séries	MDmesh™ II	Rds On (Max) @ Id, Vgs	385 mOhm @ 5A, 10V
Dissipation de puissance (max)	3W (Ta), 90W (Tc)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	8-PowerVDFN	Autres noms	497-11845-2
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	3 (168 Hours)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	790pF @ 50V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	600V
Description détaillée	N-Channel 600V 10A (Tc) 3W (Ta), 90W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	10A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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