STP180N10F3

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STP180N10F3
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	MOSFET N-CH 100V 120A TO220
Livret des spécifications:	STP180N10F3.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	31319 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 31319 pcs

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Spécifications de STP180N10F3

Modèle de produit	STP180N10F3	Fabricant	STMicroelectronics
La description	MOSFET N-CH 100V 120A TO220	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	31319 pcs	Fiche technique	STP180N10F3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-220
Séries	STripFET™ III	Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.1 mOhm @ 60A, 10V
Dissipation de puissance (max)	315W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-220-3	Autres noms	497-11228-5
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	6665pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	114.6nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	100V
Description détaillée	N-Channel 100V 120A (Tc) 315W (Tc) Through Hole TO-220	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	120A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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