STP20N65M5

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STP20N65M5
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	MOSFET N-CH 650V 18A TO-220
Livret des spécifications:	STP20N65M5.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	14351 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 14351 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $1.981

50 pcs: $1.59

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500 pcs: $1.173

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Spécifications de STP20N65M5

Modèle de produit	STP20N65M5	Fabricant	STMicroelectronics
La description	MOSFET N-CH 650V 18A TO-220	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	14351 pcs	Fiche technique	STP20N65M5.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-220
Séries	MDmesh™ V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	190 mOhm @ 9A, 10V
Dissipation de puissance (max)	130W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-220-3	Autres noms	497-13538
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1345pF @ 100V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	45nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	650V
Description détaillée	N-Channel 650V 18A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-220	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	18A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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