STS1HNK60

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STS1HNK60
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	MOSFET N-CH 600V 300MA 8-SOIC
Livret des spécifications:	STS1HNK60.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	78760 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 78760 pcs

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Spécifications de STS1HNK60

Modèle de produit	STS1HNK60	Fabricant	STMicroelectronics
La description	MOSFET N-CH 600V 300MA 8-SOIC	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	78760 pcs	Fiche technique	STS1HNK60.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	3.7V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	8-SO
Séries	SuperMESH™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5 Ohm @ 500mA, 10V
Dissipation de puissance (max)	2W (Tc)	Emballage	Cut Tape (CT)
Package / Boîte	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Autres noms	497-3530-1
Température de fonctionnement	-65°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	156pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	600V
Description détaillée	N-Channel 600V 300mA (Tc) 2W (Tc) Surface Mount 8-SO	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	300mA (Tc)

Mode de transport
Après vente
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