STS3DNE60L

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STS3DNE60L
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOIC
Livret des spécifications:	STS3DNE60L.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	139623 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 139623 pcs

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Spécifications de STS3DNE60L

Modèle de produit	STS3DNE60L	Fabricant	STMicroelectronics
La description	MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOIC	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	139623 pcs	Fiche technique	STS3DNE60L.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA	Package composant fournisseur	8-SO
Séries	STripFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	80 mOhm @ 1.5A, 10V
Puissance - Max	2W	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	3 (168 Hours)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	815pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	13.5nC @ 4.5V	type de FET	2 N-Channel (Dual)
Fonction FET	Logic Level Gate	Tension drain-source (Vdss)	60V
Description détaillée	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 3A 2W Surface Mount 8-SO	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	3A

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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