STTH812G

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STTH812G
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D2PAK
Livret des spécifications:	STTH812G.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	5383 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5383 pcs

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Spécifications de STTH812G

Modèle de produit	STTH812G	Fabricant	STMicroelectronics
La description	DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D2PAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	5383 pcs	Fiche technique	STTH812G.pdf
Tension - Inverse de crête (max)	Standard	Tension - directe (Vf) (max) @ Si	8A
Tension - Ventilation	D2PAK	Séries	-
État RoHS	Tube	Temps de recouvrement inverse (trr)	Fast Recovery = 200mA (Io)
Résistance @ Si, F	-	Polarisation	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Température d'utilisation - Jonction	100ns	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	3 (168 Hours)	Référence fabricant	STTH812G
Description élargie	Diode Standard 1200V (1.2kV) 8A Surface Mount D2PAK	Configuration diode	8µA @ 1200V
La description	DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D2PAK	Courant - fuite, inverse à Vr	2.2V @ 8A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)	1200V (1.2kV)	Capacité à Vr, F	175°C (Max)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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