STU12N60M2

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STU12N60M2
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	MOSFET N-CH 600V 9A IPAK
Livret des spécifications:	STU12N60M2.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	89154 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 89154 pcs

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Spécifications de STU12N60M2

Modèle de produit	STU12N60M2	Fabricant	STMicroelectronics
La description	MOSFET N-CH 600V 9A IPAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	89154 pcs	Fiche technique	STU12N60M2.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	I-PAK
Séries	MDmesh™ M2	Rds On (Max) @ Id, Vgs	450 mOhm @ 4.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)	85W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Autres noms	497-16024-5
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	538pF @ 100V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	600V
Description détaillée	N-Channel 600V 9A (Tc) 85W (Tc) Through Hole I-PAK	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	9A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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