STU16N65M2

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STU16N65M2
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	MOSFET N-CH 650V 11A IPAK
Livret des spécifications:	STU16N65M2.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	28735 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 28735 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.99

75 pcs: $0.798

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525 pcs: $0.558

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Spécifications de STU16N65M2

Modèle de produit	STU16N65M2	Fabricant	STMicroelectronics
La description	MOSFET N-CH 650V 11A IPAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	28735 pcs	Fiche technique	STU16N65M2.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	IPAK (TO-251)
Séries	MDmesh™ M2	Rds On (Max) @ Id, Vgs	360 mOhm @ 5.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)	110W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Autres noms	497-15248-5
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	718pF @ 100V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	19.5nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	650V
Description détaillée	N-Channel 650V 11A (Tc) 110W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	11A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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