STV200N55F3

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STV200N55F3
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	MOSFET N-CH 55V 200A POWERSO-10
Livret des spécifications:	STV200N55F3.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	10572 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 10572 pcs

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1 pcs: $2.796

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Spécifications de STV200N55F3

Modèle de produit	STV200N55F3	Fabricant	STMicroelectronics
La description	MOSFET N-CH 55V 200A POWERSO-10	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	10572 pcs	Fiche technique	STV200N55F3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	10-PowerSO
Séries	STripFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5 mOhm @ 75A, 10V
Dissipation de puissance (max)	300W (Tc)	Emballage	Cut Tape (CT)
Package / Boîte	PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	Autres noms	497-7028-1
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	6800pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	100nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	55V
Description détaillée	N-Channel 55V 200A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount 10-PowerSO	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	200A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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