SF2008GHC0G

TSC (Taiwan Semiconductor)

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Présentation du produit

Modèle de produit:	SF2008GHC0G
Fabricant / marque:	TSC (Taiwan Semiconductor)
Description du produit	DIODE GEN PURP 600V 20A TO220AB
Livret des spécifications:	SF2008GHC0G.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	215588 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 215588 pcs

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Spécifications de SF2008GHC0G

Modèle de produit	SF2008GHC0G	Fabricant	TSC (Taiwan Semiconductor)
La description	DIODE GEN PURP 600V 20A TO220AB	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	215588 pcs	Fiche technique	SF2008GHC0G.pdf
Tension - directe (Vf) (max) @ Si	1.7V @ 10A	Tension - inverse (Vr) (max)	600V
Package composant fournisseur	TO-220AB	La vitesse	Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries	Automotive, AEC-Q101	Temps de recouvrement inverse (trr)	35ns
Emballage	Tube	Package / Boîte	TO-220-3
Température d'utilisation - Jonction	-55°C ~ 150°C	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Type de diode	Standard	Description détaillée	Diode Standard 600V 20A Through Hole TO-220AB
Courant - fuite, inverse à Vr	5µA @ 600V	Courant - Rectifié moyenne (Io)	20A
Capacité à Vr, F	80pF @ 4V, 1MHz

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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