TPAR3J S1G

TSC (Taiwan Semiconductor)

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Présentation du produit

Modèle de produit:	TPAR3J S1G
Fabricant / marque:	TSC (Taiwan Semiconductor)
Description du produit	DIODE AVALANCHE 600V 3A TO277A
Livret des spécifications:	TPAR3J S1G.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	327826 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 327826 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

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Spécifications de TPAR3J S1G

Modèle de produit	TPAR3J S1G	Fabricant	TSC (Taiwan Semiconductor)
La description	DIODE AVALANCHE 600V 3A TO277A	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	327826 pcs	Fiche technique	TPAR3J S1G.pdf
Tension - directe (Vf) (max) @ Si	1.55V @ 3A	Tension - inverse (Vr) (max)	600V
Package composant fournisseur	TO-277A (SMPC)	La vitesse	Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries	-	Temps de recouvrement inverse (trr)	120ns
Emballage	Tape & Reel (TR)	Package / Boîte	TO-277, 3-PowerDFN
Autres noms	TPAR3J S1GTR TPAR3J S1GTR-ND TPAR3JS1GTR	Température d'utilisation - Jonction	-55°C ~ 175°C
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Type de diode	Avalanche
Description détaillée	Diode Avalanche 600V 3A Surface Mount TO-277A (SMPC)	Courant - fuite, inverse à Vr	10µA @ 600V
Courant - Rectifié moyenne (Io)	3A	Capacité à Vr, F	58pF @ 4V, 1MHz

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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