| Modèle de produit | TSM1N45CT B0G | Fabricant | TSC (Taiwan Semiconductor) |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 450V 500MA TO92 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Quantité disponible | 3920 pcs | Fiche technique | TSM1N45CT B0G.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.25V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | TO-92 |
| Séries | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.25 Ohm @ 250mA, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 2W (Tc) | Emballage | Bulk |
| Package / Boîte | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | Autres noms | TSM1N45CT B0G-ND TSM1N45CT B0GTR TSM1N45CT B0GTR-ND TSM1N45CT B3G-ND TSM1N45CTB0G |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 235pF @ 25V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 450V |
| Description détaillée | N-Channel 450V 500mA (Tc) 2W (Tc) Through Hole TO-92 | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 500mA (Tc) |
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