TSM200N03DPQ33 RGG

TSC (Taiwan Semiconductor)

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Présentation du produit

Modèle de produit:	TSM200N03DPQ33 RGG
Fabricant / marque:	TSC (Taiwan Semiconductor)
Description du produit	MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN
Livret des spécifications:	TSM200N03DPQ33 RGG.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	445846 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 445846 pcs

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Spécifications de TSM200N03DPQ33 RGG

Modèle de produit	TSM200N03DPQ33 RGG	Fabricant	TSC (Taiwan Semiconductor)
La description	MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	445846 pcs	Fiche technique	TSM200N03DPQ33 RGG.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA	Package composant fournisseur	8-PDFN (3x3)
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 10A, 10V
Puissance - Max	20W	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	8-PowerWDFN	Autres noms	TSM200N03DPQ33 RGGTR TSM200N03DPQ33 RGGTR-ND TSM200N03DPQ33RGGTR
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	3 (168 Hours)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	345pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	4nC @ 4.5V
type de FET	2 N-Channel (Dual)	Fonction FET	Standard
Tension drain-source (Vdss)	30V	Description détaillée	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 20A (Tc) 20W Surface Mount 8-PDFN (3x3)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	20A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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