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TSM4N70CI C0G

TSC (Taiwan Semiconductor)TSC (Taiwan Semiconductor)
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Présentation du produit

Modèle de produit: TSM4N70CI C0G
Fabricant / marque: TSC (Taiwan Semiconductor)
Description du produit MOSFET N-CH 700V 3.5A ITO220
Livret des spécifications: TSM4N70CI C0G.pdf
État RoHS Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock 4840 pcs stock
Bateau de Hong Kong
Manière d'expédition DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 4840 pcs
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Spécifications de TSM4N70CI C0G

Modèle de produit TSM4N70CI C0G Fabricant TSC (Taiwan Semiconductor)
La description MOSFET N-CH 700V 3.5A ITO220 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible 4840 pcs Fiche technique TSM4N70CI C0G.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Vgs (Max) ±30V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) Package composant fournisseur ITO-220
Séries - Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3 Ohm @ 2A, 10V
Dissipation de puissance (max) 56W (Tc) Emballage Tube
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Autres noms TSM4N70CI C0G-ND
TSM4N70CIC0G
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 595pF @ 25V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V Tension drain-source (Vdss) 700V
Description détaillée N-Channel 700V 3.5A (Tc) 56W (Tc) Through Hole ITO-220 Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.5A (Tc)

Mode de transport

★ LIVRAISON GRATUITE VIA DHL / FEDEX / UPS SI LE MONTANT DE LA COMMANDE EST SUPÉRIEUR À 1 000 USD.
(UNIQUEMENT POUR LES CIRCUITS INTÉGRÉS, LA PROTECTION DE CIRCUIT, RF / IF et RFID, l'optoélectronique, les capteurs, les transducteurs, les transformateurs, les isolateurs, les commutateurs et les relais

FEDEX www.FedEx.com À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays.
DHL www.DHL.com À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays.
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