TSM6502CR RLG

TSC (Taiwan Semiconductor)

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Présentation du produit

Modèle de produit:	TSM6502CR RLG
Fabricant / marque:	TSC (Taiwan Semiconductor)
Description du produit	MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8PDFN
Livret des spécifications:	TSM6502CR RLG.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	123985 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 123985 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.309

10 pcs: $0.269

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500 pcs: $0.154

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Spécifications de TSM6502CR RLG

Modèle de produit	TSM6502CR RLG	Fabricant	TSC (Taiwan Semiconductor)
La description	MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8PDFN	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	123985 pcs	Fiche technique	TSM6502CR RLG.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA	Package composant fournisseur	8-PDFN (5x6)
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	34 mOhm @ 5.4A, 10V, 68 mOhm @ 4A, 10V
Puissance - Max	40W	Emballage	Original-Reel®
Package / Boîte	8-PowerTDFN	Autres noms	TSM6502CR RLGDKR TSM6502CR RLGDKR-ND TSM6502CRRLGDKR
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1159pF @ 30V, 930pF @ 30V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	10.3nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V
type de FET	N and P-Channel	Fonction FET	Standard
Tension drain-source (Vdss)	60V	Description détaillée	Mosfet Array N and P-Channel 60V 24A (Tc), 18A (Tc) 40W Surface Mount 8-PDFN (5x6)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	24A (Tc), 18A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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