TC58BYG0S3HBAI6

Toshiba Memory America, Inc.

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Présentation du produit

Modèle de produit:	TC58BYG0S3HBAI6
Fabricant / marque:	Toshiba Memory America, Inc.
Description du produit	IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA
Livret des spécifications:	TC58BYG0S3HBAI6.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	30613 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 30613 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $1.127

10 pcs: $1.013

25 pcs: $0.997

50 pcs: $0.995

100 pcs: $0.889

338 pcs: $0.86

676 pcs: $0.857

1014 pcs: $0.798

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Spécifications de TC58BYG0S3HBAI6

Modèle de produit	TC58BYG0S3HBAI6	Fabricant	Toshiba Memory America, Inc.
La description	IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	30613 pcs	Fiche technique	TC58BYG0S3HBAI6.pdf
Écrire le temps de cycle - Word, Page	25ns	Tension - Alimentation	1.7 V ~ 1.95 V
La technologie	FLASH - NAND (SLC)	Package composant fournisseur	67-VFBGA (6.5x8)
Séries	Benand™	Emballage	Tray
Package / Boîte	67-VFBGA	Autres noms	TC58BYG0S3HBAI6JDH TC58BYG0S3HBAI6YCJ
Température de fonctionnement	-40°C ~ 85°C (TA)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	3 (168 Hours)	Type de mémoire	Non-Volatile
Taille mémoire	1Gb (128M x 8)	Interface mémoire	Parallel
Format de mémoire	FLASH	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée	FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 25ns 67-VFBGA (6.5x8)	Temps d'accès	25ns

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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(UNIQUEMENT POUR LES CIRCUITS INTÉGRÉS, LA PROTECTION DE CIRCUIT, RF / IF et RFID, l'optoélectronique, les capteurs, les transducteurs, les transformateurs, les isolateurs, les commutateurs et les relais

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