Toshiba Memory America, Inc.| Modèle de produit | TC58CVG2S0HRAIG | Fabricant | Toshiba Memory America, Inc. |
|---|---|---|---|
| La description | IC FLASH 4G SPI 104MHZ 8WSON | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Quantité disponible | 16041 pcs | Fiche technique | TC58CVG2S0HRAIG.pdf |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - | Tension - Alimentation | 2.7 V ~ 3.6 V |
| La technologie | FLASH - NAND (SLC) | Package composant fournisseur | 8-WSON (6x8) |
| Séries | - | Emballage | Tray |
| Package / Boîte | 8-WDFN Exposed Pad | Autres noms | TC58CVG2S0HRAIGBAH TC58CVG2S0HRAIGY0J TC58CVG2S0HRAIGYCJ |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 3 (168 Hours) | Type de mémoire | Non-Volatile |
| Taille mémoire | 4Gb (512M x 8) | Interface mémoire | SPI - Quad I/O |
| Format de mémoire | FLASH | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Description détaillée | FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) SPI - Quad I/O 104MHz 280µs 8-WSON (6x8) | Fréquence d'horloge | 104MHz |
| Temps d'accès | 280µs |
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|---|---|---|
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