1SS307E,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

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Présentation du produit

Modèle de produit:	1SS307E,L3F
Fabricant / marque:	Toshiba Semiconductor and Storage
Description du produit	DIODE GEN PURP 80V 100MA SC79
Livret des spécifications:	1SS307E,L3F.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	3188280 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3188280 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

8000 pcs: $0.011

16000 pcs: $0.01

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Spécifications de 1SS307E,L3F

Modèle de produit	1SS307E,L3F	Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
La description	DIODE GEN PURP 80V 100MA SC79	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	3188280 pcs	Fiche technique	1SS307E,L3F.pdf
Tension - directe (Vf) (max) @ Si	1.3V @ 100mA	Tension - inverse (Vr) (max)	80V
Package composant fournisseur	SC-79	La vitesse	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Séries	-	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	SC-79, SOD-523	Autres noms	1SS307E,L3F(B 1SS307E,L3F(T 1SS307EL3FTR
Température d'utilisation - Jonction	150°C (Max)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Type de diode	Standard	Description détaillée	Diode Standard 80V 100mA Surface Mount SC-79
Courant - fuite, inverse à Vr	10nA @ 80V	Courant - Rectifié moyenne (Io)	100mA
Capacité à Vr, F	6pF @ 0V, 1MHz

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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