1SS387CT,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

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Présentation du produit

Modèle de produit:	1SS387CT,L3F
Fabricant / marque:	Toshiba Semiconductor and Storage
Description du produit	DIODE GEN PURP 80V 100MA CST2
Livret des spécifications:	1SS387CT,L3F.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	332556 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 332556 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.095

10 pcs: $0.085

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500 pcs: $0.026

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Spécifications de 1SS387CT,L3F

Modèle de produit	1SS387CT,L3F	Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
La description	DIODE GEN PURP 80V 100MA CST2	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	332556 pcs	Fiche technique	1SS387CT,L3F.pdf
Tension - directe (Vf) (max) @ Si	1.2V @ 100mA	Tension - inverse (Vr) (max)	80V
Package composant fournisseur	CST2	La vitesse	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Séries	-	Temps de recouvrement inverse (trr)	1.6ns
Emballage	Cut Tape (CT)	Package / Boîte	SOD-882
Autres noms	1SS387CT(TPL3)CT 1SS387CT(TPL3)CT-ND 1SS387CTL3FCT	Température d'utilisation - Jonction	150°C (Max)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Type de diode	Standard
Description détaillée	Diode Standard 80V 100mA Surface Mount CST2	Courant - fuite, inverse à Vr	500nA @ 80V
Courant - Rectifié moyenne (Io)	100mA	Capacité à Vr, F	0.5pF @ 0V, 1MHz

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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