2SA1587-BL,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

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Présentation du produit

Modèle de produit:	2SA1587-BL,LF
Fabricant / marque:	Toshiba Semiconductor and Storage
Description du produit	TRANS PNP 120V 0.1A USM
Livret des spécifications:	2SA1587-BL,LF.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	2049876 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2049876 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

3000 pcs: $0.017

6000 pcs: $0.015

15000 pcs: $0.013

30000 pcs: $0.012

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150000 pcs: $0.01

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Spécifications de 2SA1587-BL,LF

Modèle de produit	2SA1587-BL,LF	Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
La description	TRANS PNP 120V 0.1A USM	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	2049876 pcs	Fiche technique	2SA1587-BL,LF.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	120V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type	PNP	Package composant fournisseur	USM
Séries	-	Puissance - Max	100mW
Emballage	Tape & Reel (TR)	Package / Boîte	SC-70, SOT-323
Autres noms	2SA1587-BL(TE85L,F 2SA1587-BL(TE85LFTR 2SA1587-BL(TE85LFTR-ND 2SA1587-BL,LF(B 2SA1587-BL,LF(T 2SA1587-BLLF(BTR 2SA1587-BLLF(BTR-ND 2SA1587-BLLFTR 2SA1587BLLFTR 2SA1587BLLFTR-ND	Température de fonctionnement	125°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Fréquence - Transition	100MHz
Description détaillée	Bipolar (BJT) Transistor PNP 120V 100mA 100MHz 100mW Surface Mount USM	Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	350 @ 2mA, 6V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)	100nA (ICBO)	Courant - Collecteur (Ic) (max)	100mA

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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