2SK2009TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

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Présentation du produit

Modèle de produit:	2SK2009TE85LF
Fabricant / marque:	Toshiba Semiconductor and Storage
Description du produit	MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI
Livret des spécifications:	2SK2009TE85LF.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	4862 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4862 pcs

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Spécifications de 2SK2009TE85LF

Modèle de produit	2SK2009TE85LF	Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
La description	MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	4862 pcs	Fiche technique	2SK2009TE85LF.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 100µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	SC-59-3
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 50MA, 2.5V
Dissipation de puissance (max)	200mW (Ta)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Autres noms	2SK2009 (TE85L,F) 2SK2009(TE85L,F) 2SK2009TE85LFTR
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	70pF @ 3V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	2.5V
Tension drain-source (Vdss)	30V	Description détaillée	N-Channel 30V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SC-59-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	200mA (Ta)

Mode de transport
Après vente
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