2SK3128(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Présentation du produit

Modèle de produit:	2SK3128(Q)
Fabricant / marque:	Toshiba Semiconductor and Storage
Description du produit	MOSFET N-CH 30V 60A TO-3PN
Livret des spécifications:	1.2SK3128(Q).pdf 2.2SK3128(Q).pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	5170 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5170 pcs

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Spécifications de 2SK3128(Q)

Modèle de produit	2SK3128(Q)	Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
La description	MOSFET N-CH 30V 60A TO-3PN	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	5170 pcs	Fiche technique	1.2SK3128(Q).pdf 2.2SK3128(Q).pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-3P(N)
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 mOhm @ 30A, 10V
Dissipation de puissance (max)	150W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-3P-3, SC-65-3	Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2300pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	66nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	30V	Description détaillée	N-Channel 30V 60A (Ta) 150W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	60A (Ta)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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