CMH07(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Présentation du produit

Modèle de produit:	CMH07(TE12L,Q,M)
Fabricant / marque:	Toshiba Semiconductor and Storage
Description du produit	DIODE GEN PURP 200V 2A M-FLAT
Livret des spécifications:	CMH07(TE12L,Q,M).pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	438895 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 438895 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

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Spécifications de CMH07(TE12L,Q,M)

Modèle de produit	CMH07(TE12L,Q,M)	Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
La description	DIODE GEN PURP 200V 2A M-FLAT	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	438895 pcs	Fiche technique	CMH07(TE12L,Q,M).pdf
Tension - directe (Vf) (max) @ Si	980mV @ 2A	Tension - inverse (Vr) (max)	200V
Package composant fournisseur	M-FLAT (2.4x3.8)	La vitesse	Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries	-	Temps de recouvrement inverse (trr)	100ns
Package / Boîte	SOD-128	Autres noms	CMH07(TE12LQM)
Température d'utilisation - Jonction	-40°C ~ 150°C	Type de montage	Surface Mount
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Type de diode	Standard
Description détaillée	Diode Standard 200V 2A Surface Mount M-FLAT (2.4x3.8)	Courant - fuite, inverse à Vr	10µA @ 200V
Courant - Rectifié moyenne (Io)	2A	Capacité à Vr, F	-

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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