HN1C01FYTE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

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Présentation du produit

Modèle de produit:	HN1C01FYTE85LF
Fabricant / marque:	Toshiba Semiconductor and Storage
Description du produit	TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6
Livret des spécifications:	HN1C01FYTE85LF.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	1562810 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1562810 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

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Spécifications de HN1C01FYTE85LF

Modèle de produit	HN1C01FYTE85LF	Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
La description	TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	1562810 pcs	Fiche technique	HN1C01FYTE85LF.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	50V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	250mV @ 10mA, 100mA
Transistor Type	2 NPN (Dual)	Package composant fournisseur	SM6
Séries	-	Puissance - Max	300mW
Emballage	Tape & Reel (TR)	Package / Boîte	SC-74, SOT-457
Autres noms	HN1C01F-Y (TE85L,F) HN1C01F-Y(TE85L,F) HN1C01FYTE85LFTR	Température de fonctionnement	125°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Fréquence - Transition	80MHz
Description détaillée	Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 80MHz 300mW Surface Mount SM6	Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 2mA, 6V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)	100nA (ICBO)	Courant - Collecteur (Ic) (max)	150mA

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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