Choisissez votre pays ou région.

Close
Se connecter S'inscrire Email:Info@infinity-electronic.com
0 Item(s)

HN2S01FUTE85LF

Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
HN2S01FUTE85LF Image
L'image peut être une représentation. Voir les spécifications pour les détails du produit.

Présentation du produit

Modèle de produit: HN2S01FUTE85LF
Fabricant / marque: Toshiba Semiconductor and Storage
Description du produit DIODE ARRAY SCHOTTKY 10V US6
Livret des spécifications: HN2S01FUTE85LF.pdf
État RoHS Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock 184376 pcs stock
Bateau de Hong Kong
Manière d'expédition DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 184376 pcs
Prix de référence (en dollars américains)
1 pcs
$0.162
10 pcs
$0.114
100 pcs
$0.075
Demander une offre en ligne
Veuillez remplir tous les champs obligatoires avec vos coordonnées. Cliquez sur " SOUMETTRE la demande de devis ". Nous vous contacterons sous peu par courrier électronique. Ou écrivez-nous:Info@infinity-electronic.com
  • Prix cible:
  • Qté:
Total:$0.162

S'il vous plaît nous donner votre prix cible si des quantités supérieures à celles affichées.

  • Modèle de produit
  • Raison sociale
  • Nom du contact
  • Email
  • Message

Spécifications de HN2S01FUTE85LF

Modèle de produit HN2S01FUTE85LF Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
La description DIODE ARRAY SCHOTTKY 10V US6 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible 184376 pcs Fiche technique HN2S01FUTE85LF.pdf
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 500mV @ 100mA Tension - inverse (Vr) (max) 10V
Package composant fournisseur US6 La vitesse Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Séries - Emballage Cut Tape (CT)
Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Autres noms HN2S01FUTE85LFCT
Température d'utilisation - Jonction 125°C (Max) Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Type de diode Schottky Configuration diode 3 Independent
Description détaillée Diode Array 3 Independent Schottky 10V 100mA Surface Mount 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Courant - fuite, inverse à Vr 20µA @ 10V
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 100mA

Mode de transport

★ LIVRAISON GRATUITE VIA DHL / FEDEX / UPS SI LE MONTANT DE LA COMMANDE EST SUPÉRIEUR À 1 000 USD.
(UNIQUEMENT POUR LES CIRCUITS INTÉGRÉS, LA PROTECTION DE CIRCUIT, RF / IF et RFID, l'optoélectronique, les capteurs, les transducteurs, les transformateurs, les isolateurs, les commutateurs et les relais

FEDEX www.FedEx.com À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays.
DHL www.DHL.com À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays.
UPS www.UPS.com À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays.
TNT www.TNT.com À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays.

★ Le délai de livraison nécessitera 2 à 4 jours pour la plupart des pays du monde entier par DHL / UPS / FEDEX / TNT.

N'hésitez pas à nous contacter si vous avez des questions sur l'envoi. Envoyez-nous un email Info@infinity-electronic.com
FedexDHLUPSTNT

GARANTIE APRÈS-VENTE

  1. Chaque produit de Infinity-Semiconductor.com bénéficie d’une période de garantie d’un an. Pendant cette période, nous pouvons fournir une maintenance technique gratuite en cas de problème concernant nos produits.
  2. Si vous rencontrez des problèmes de qualité concernant nos produits après les avoir reçus, vous pouvez les tester et demander un remboursement inconditionnel s’il est prouvé.
  3. Si les produits sont défectueux ou s'ils ne fonctionnent pas, vous pouvez nous le retourner dans un délai d'un an. Tous les frais de transport et de douane de la marchandise sont à notre charge.

Tags associés

Produits connexes

HN2D03F(TE85L,F)
HN2D03F(TE85L,F)
Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
La description: DIODE ARRAY GP 400V 100MA SM6
En stock: 5882 pcs
Télécharger: HN2D03F(TE85L,F).pdf
RFQ
HN2D01JE(TE85L,F)
HN2D01JE(TE85L,F)
Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
La description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ESV
En stock: 164074 pcs
Télécharger: HN2D01JE(TE85L,F).pdf
RFQ
HN2D01FTE85LF
HN2D01FTE85LF
Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
La description: DIODE ARRAY GP 80V 80MA SC74
En stock: 6002 pcs
Télécharger: HN2D01FTE85LF.pdf
RFQ
HN2S02JE(TE85L,F)
HN2S02JE(TE85L,F)
Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
La description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V ESV
En stock: 188062 pcs
Télécharger: HN2S02JE(TE85L,F).pdf
RFQ
HN2S03FUTE85LF
HN2S03FUTE85LF
Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
La description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V US6
En stock: 175373 pcs
Télécharger: HN2S03FUTE85LF.pdf
RFQ
HN2X2LG6
HN2X2LG6
Fabricant: Panduit
La description: WIRE DUCT SLOTTED SCREW GRAY 6'
En stock: 1916 pcs
Télécharger: HN2X2LG6.pdf
RFQ
HN2S03T(TE85L)
HN2S03T(TE85L)
Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
La description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V TESQ
En stock: 3277 pcs
Télécharger: HN2S03T(TE85L).pdf
RFQ
HN2D02FUTW1T1G
HN2D02FUTW1T1G
Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC88
En stock: 1293427 pcs
Télécharger: HN2D02FUTW1T1G.pdf
RFQ
HN2D02FUTW1T1
HN2D02FUTW1T1
Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC88
En stock: 5975 pcs
Télécharger: HN2D02FUTW1T1.pdf
RFQ
HN2S03FE(TE85L,F)
HN2S03FE(TE85L,F)
Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
La description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V ES6
En stock: 4931 pcs
Télécharger: HN2S03FE(TE85L,F).pdf
RFQ
HN2D01FU(TE85L,F)
HN2D01FU(TE85L,F)
Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
La description: DIODE ARRAY GP 80V 80MA US6
En stock: 237786 pcs
Télécharger: HN2D01FU(TE85L,F).pdf
RFQ
HN2X2WH6
HN2X2WH6
Fabricant: Panduit
La description: WIRE DUCT SLOTTED SCREW WHITE 6'
En stock: 2497 pcs
Télécharger: HN2X2WH6.pdf
RFQ

Nouvelles de l'industrie

Rohm ajoute 10 mosfets SiC automobiles
«L’introduction de la série SCT3xxxxxxHR permet à Rohm d’offrir la plus grande gamme de mosfets...
ON ajoute aux MOSFET SiC
ON Semiconductor a introduit deux MOSFET SiC destinés aux applications VE, solaires et UPS. Les NVH...
APEC: TI pense latéralement à fabriquer une puce ca-cc avec une puissance de secours de 15 mW
«Cet appareil réalise le meilleur équilibre entre efficacité élevée et bruit extrêmement faib...
Contenu sponsorisé: Analyseur de spectre SIGLENT SVA1015X
L'analyseur de spectre SIGLENT SVA1015X est un outil très puissant et flexible pour diverses mesure...
Les dépenses en équipements de demi-fabrication devraient diminuer de 14% cette année et augmenter de 27% l’année prochaine
Stimulé par un ralentissement du secteur de la mémoire, le ralentissement économique de 2019 marq...
Power Stamp Alliance réduit la nécessité pour le processeur hôte de surveiller les unités d'alimentation et ajoute une conception de référence
L’Alliance (Artesyn Embedded Technologies, Solutions Bel Power, Flex et STMicroelectronics) a cré...
APEC: puissance SiC et outils électriques améliorés basés sur le cloud
Les capacités de recherche ont été améliorées et un menu de style carrousel permet de sélectio...
Dengrove ajoute des convertisseurs CC / CC de Recom à encombrement réduit
Ils sont conçus pour des applications nécessitant une densité de puissance élevée, un rendement...
Premier processeur Arm militaire qualifié pour les applications haute fidélité
LS1046A fait partie du portefeuille Arm Layerscape 64 bits de NXP, avec un bras Cortex-A72 quad-core...