RN1101CT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Présentation du produit

Modèle de produit:	RN1101CT(TPL3)
Fabricant / marque:	Toshiba Semiconductor and Storage
Description du produit	TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
Livret des spécifications:	RN1101CT(TPL3).pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	2790 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2790 pcs

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Spécifications de RN1101CT(TPL3)

Modèle de produit	RN1101CT(TPL3)	Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
La description	TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	2790 pcs	Fiche technique	RN1101CT(TPL3).pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	20V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type	NPN - Pre-Biased	Package composant fournisseur	CST3
Séries	-	Résistance - Base de l'émetteur (R2)	4.7 kOhms
Résistance - Base (R1)	4.7 kOhms	Puissance - Max	50mW
Emballage	Tape & Reel (TR)	Package / Boîte	SC-101, SOT-883
Autres noms	RN1101CT(TPL3)TR	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 20V 50mA 50mW Surface Mount CST3	Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 10mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)	500nA	Courant - Collecteur (Ic) (max)	50mA

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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