RN1111MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

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Présentation du produit

Modèle de produit:	RN1111MFV,L3F
Fabricant / marque:	Toshiba Semiconductor and Storage
Description du produit	X34 PB-F VESM PLN (LF) TRANSISTO
Livret des spécifications:	RN1111MFV,L3F.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	2797585 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2797585 pcs

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Spécifications de RN1111MFV,L3F

Modèle de produit	RN1111MFV,L3F	Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
La description	X34 PB-F VESM PLN (LF) TRANSISTO	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	2797585 pcs	Fiche technique	RN1111MFV,L3F.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	50V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type	NPN - Pre-Biased	Package composant fournisseur	VESM
Séries	-	Résistance - Base (R1)	10 kOhms
Puissance - Max	150mW	Package / Boîte	SOT-723
Autres noms	RN1111MFVL3F	Type de montage	Surface Mount
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Description détaillée	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 1mA, 5V	Courant - Collecteur Cutoff (Max)	100nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max)	100mA

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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