RN1305,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

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Présentation du produit

Modèle de produit:	RN1305,LF
Fabricant / marque:	Toshiba Semiconductor and Storage
Description du produit	TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
Livret des spécifications:	RN1305,LF.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	295500 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 295500 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.105

10 pcs: $0.095

25 pcs: $0.068

100 pcs: $0.053

250 pcs: $0.033

500 pcs: $0.028

1000 pcs: $0.019

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Spécifications de RN1305,LF

Modèle de produit	RN1305,LF	Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
La description	TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	295500 pcs	Fiche technique	RN1305,LF.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	50V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type	NPN - Pre-Biased	Package composant fournisseur	USM
Séries	-	Résistance - Base de l'émetteur (R2)	47 kOhms
Résistance - Base (R1)	2.2 kOhms	Puissance - Max	100mW
Emballage	Original-Reel®	Package / Boîte	SC-70, SOT-323
Autres noms	RN1305LFDKR	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition	250MHz	Description détaillée	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount USM
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 10mA, 5V	Courant - Collecteur Cutoff (Max)	500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max)	100mA

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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