RN2104ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Présentation du produit

Modèle de produit:	RN2104ACT(TPL3)
Fabricant / marque:	Toshiba Semiconductor and Storage
Description du produit	TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
Livret des spécifications:	RN2104ACT(TPL3).pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	6207 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6207 pcs

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Spécifications de RN2104ACT(TPL3)

Modèle de produit	RN2104ACT(TPL3)	Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
La description	TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	6207 pcs	Fiche technique	RN2104ACT(TPL3).pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	50V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type	PNP - Pre-Biased	Package composant fournisseur	CST3
Séries	-	Résistance - Base de l'émetteur (R2)	47 kOhms
Résistance - Base (R1)	47 kOhms	Puissance - Max	100mW
Emballage	Tape & Reel (TR)	Package / Boîte	SC-101, SOT-883
Autres noms	RN2104ACT(TPL3)TR	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3	Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 10mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)	500nA	Courant - Collecteur (Ic) (max)	80mA

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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