RN2301,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

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Présentation du produit

Modèle de produit:	RN2301,LF
Fabricant / marque:	Toshiba Semiconductor and Storage
Description du produit	TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
Livret des spécifications:	RN2301,LF.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	2995269 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2995269 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

3000 pcs: $0.011

6000 pcs: $0.01

15000 pcs: $0.009

30000 pcs: $0.008

75000 pcs: $0.007

150000 pcs: $0.006

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Spécifications de RN2301,LF

Modèle de produit	RN2301,LF	Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
La description	TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	2995269 pcs	Fiche technique	RN2301,LF.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	50V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type	PNP - Pre-Biased	Package composant fournisseur	USM
Séries	-	Résistance - Base de l'émetteur (R2)	4.7 kOhms
Résistance - Base (R1)	4.7 kOhms	Puissance - Max	100mW
Emballage	Tape & Reel (TR)	Package / Boîte	SC-70, SOT-323
Autres noms	RN2301(TE85L,F) RN2301(TE85LF) RN2301(TE85LF)-ND RN2301(TE85LF)TR RN2301(TE85LF)TR-ND RN2301,LF(B RN2301,LF(T RN2301LFTR RN2301TE85LF	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition	200MHz	Description détaillée	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount USM
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 10mA, 5V	Courant - Collecteur Cutoff (Max)	500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max)	100mA	Numéro de pièce de base	RN230*

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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