RN2312(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Présentation du produit

Modèle de produit:	RN2312(TE85L,F)
Fabricant / marque:	Toshiba Semiconductor and Storage
Description du produit	TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
Livret des spécifications:	RN2312(TE85L,F).pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	1733582 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1733582 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

3000 pcs: $0.017

6000 pcs: $0.015

15000 pcs: $0.013

30000 pcs: $0.012

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150000 pcs: $0.01

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Spécifications de RN2312(TE85L,F)

Modèle de produit	RN2312(TE85L,F)	Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
La description	TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	1733582 pcs	Fiche technique	RN2312(TE85L,F).pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	50V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type	PNP - Pre-Biased	Package composant fournisseur	USM
Séries	-	Résistance - Base (R1)	22 kOhms
Puissance - Max	100mW	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	SC-70, SOT-323	Autres noms	RN2312(TE85LF) RN2312(TE85LF)-ND RN2312(TE85LF)TR RN2312TE85LF
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Fréquence - Transition	200MHz
Description détaillée	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount USM	Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 1mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)	100nA (ICBO)	Courant - Collecteur (Ic) (max)	100mA
Numéro de pièce de base	RN231*

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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(UNIQUEMENT POUR LES CIRCUITS INTÉGRÉS, LA PROTECTION DE CIRCUIT, RF / IF et RFID, l'optoélectronique, les capteurs, les transducteurs, les transformateurs, les isolateurs, les commutateurs et les relais

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