RN4982FE,LF(CB

Toshiba Semiconductor and Storage

L'image peut être une représentation. Voir les spécifications pour les détails du produit.

Présentation du produit

Modèle de produit:	RN4982FE,LF(CB
Fabricant / marque:	Toshiba Semiconductor and Storage
Description du produit	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Livret des spécifications:	RN4982FE,LF(CB.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	2052919 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2052919 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

4000 pcs: $0.017

8000 pcs: $0.015

12000 pcs: $0.013

28000 pcs: $0.012

100000 pcs: $0.01

Demander une offre en ligne: Veuillez remplir tous les champs obligatoires avec vos coordonnées. Cliquez sur " SOUMETTRE la demande de devis ". Nous vous contacterons sous peu par courrier électronique. Ou écrivez-nous:Info@infinity-electronic.com

Prix cible:(USD)
Qté:

Total:$0.017

S'il vous plaît nous donner votre prix cible si des quantités supérieures à celles affichées.

Modèle de produit
Raison sociale
Nom du contact
Email
Message

Spécifications de RN4982FE,LF(CB

Modèle de produit	RN4982FE,LF(CB	Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
La description	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	2052919 pcs	Fiche technique	RN4982FE,LF(CB.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	50V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)	Package composant fournisseur	ES6
Séries	-	Résistance - Base de l'émetteur (R2)	10 kOhms
Résistance - Base (R1)	10 kOhms	Puissance - Max	100mW
Emballage	Tape & Reel (TR)	Package / Boîte	SOT-563, SOT-666
Autres noms	RN4982FE(T5L,F,T) RN4982FE(T5LFT)TR RN4982FE(T5LFT)TR-ND RN4982FE,LF(CT RN4982FELF(CBTR RN4982FELF(CTTR RN4982FELF(CTTR-ND	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition	250MHz	Description détaillée	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	50 @ 10mA, 5V	Courant - Collecteur Cutoff (Max)	100nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max)	100mA

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

★ LIVRAISON GRATUITE VIA DHL / FEDEX / UPS SI LE MONTANT DE LA COMMANDE EST SUPÉRIEUR À 1 000 USD.
(UNIQUEMENT POUR LES CIRCUITS INTÉGRÉS, LA PROTECTION DE CIRCUIT, RF / IF et RFID, l'optoélectronique, les capteurs, les transducteurs, les transformateurs, les isolateurs, les commutateurs et les relais

FEDEX	www.FedEx.com	À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays.
DHL	www.DHL.com	À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays.
UPS	www.UPS.com	À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays.
TNT	www.TNT.com	À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays.

★ Le délai de livraison nécessitera 2 à 4 jours pour la plupart des pays du monde entier par DHL / UPS / FEDEX / TNT.

N'hésitez pas à nous contacter si vous avez des questions sur l'envoi. Envoyez-nous un email Info@infinity-electronic.com

GARANTIE APRÈS-VENTE

Chaque produit de Infinity-Semiconductor.com bénéficie d’une période de garantie d’un an. Pendant cette période, nous pouvons fournir une maintenance technique gratuite en cas de problème concernant nos produits.
Si vous rencontrez des problèmes de qualité concernant nos produits après les avoir reçus, vous pouvez les tester et demander un remboursement inconditionnel s’il est prouvé.
Si les produits sont défectueux ou s'ils ne fonctionnent pas, vous pouvez nous le retourner dans un délai d'un an. Tous les frais de transport et de douane de la marchandise sont à notre charge.

Produits connexes

: RN4985,LF(CT; Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage; La description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6; En stock: 1740104 pcs; Télécharger: RN4985,LF(CT.pdf; RFQ

: RN4981FE,LF(CB; Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage; La description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6; En stock: 1824638 pcs; Télécharger: RN4981FE,LF(CB.pdf; RFQ

: RN4981,LF(CT; Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage; La description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6; En stock: 267688 pcs; Télécharger: RN4981,LF(CT.pdf; RFQ

: RN4983FE,LF(CB; Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage; La description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6; En stock: 1927598 pcs; Télécharger: RN4983FE,LF(CB.pdf; RFQ

: RN4982,LF(CT; Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage; La description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6; En stock: 1632725 pcs; Télécharger: RN4982,LF(CT.pdf; RFQ

: RN4983,LF(CT; Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage; La description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6; En stock: 1485110 pcs; Télécharger: RN4983,LF(CT.pdf; RFQ

: RN4984FE,LF(CB; Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage; La description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6; En stock: 2219317 pcs; Télécharger: RN4984FE,LF(CB.pdf; RFQ

: RN4984(T5L,F,T); Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage; La description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6; En stock: 213975 pcs; Télécharger: RN4984(T5L,F,T).pdf; RFQ

: RN4981,LF(CT; Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage; La description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6; En stock: 1909053 pcs; Télécharger: RN4981,LF(CT.pdf; RFQ

: RN4911(T5L,F,T); Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage; La description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6; En stock: 6039 pcs; Télécharger:; RFQ

: RN4910,LF; Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage; La description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6; En stock: 1967528 pcs; Télécharger: RN4910,LF.pdf; RFQ

: RN4984,LF(CT; Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage; La description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6; En stock: 1556356 pcs; Télécharger: RN4984,LF(CT.pdf; RFQ

Nouvelles de l'industrie

Rohm ajoute 10 mosfets SiC automobiles: «L’introduction de la série SCT3xxxxxxHR permet à Rohm d’offrir la plus grande gamme de mosfets...

ON ajoute aux MOSFET SiC: ON Semiconductor a introduit deux MOSFET SiC destinés aux applications VE, solaires et UPS. Les NVH...

APEC: TI pense latéralement à fabriquer une puce ca-cc avec une puissance de secours de 15 mW: «Cet appareil réalise le meilleur équilibre entre efficacité élevée et bruit extrêmement faib...

Contenu sponsorisé: Analyseur de spectre SIGLENT SVA1015X: L'analyseur de spectre SIGLENT SVA1015X est un outil très puissant et flexible pour diverses mesure...

Les dépenses en équipements de demi-fabrication devraient diminuer de 14% cette année et augmenter de 27% l’année prochaine: Stimulé par un ralentissement du secteur de la mémoire, le ralentissement économique de 2019 marq...

Power Stamp Alliance réduit la nécessité pour le processeur hôte de surveiller les unités d'alimentation et ajoute une conception de référence: L’Alliance (Artesyn Embedded Technologies, Solutions Bel Power, Flex et STMicroelectronics) a cré...

APEC: puissance SiC et outils électriques améliorés basés sur le cloud: Les capacités de recherche ont été améliorées et un menu de style carrousel permet de sélectio...

Dengrove ajoute des convertisseurs CC / CC de Recom à encombrement réduit: Ils sont conçus pour des applications nécessitant une densité de puissance élevée, un rendement...

Premier processeur Arm militaire qualifié pour les applications haute fidélité: LS1046A fait partie du portefeuille Arm Layerscape 64 bits de NXP, avec un bras Cortex-A72 quad-core...

Choisissez votre pays ou région.