RN4987FE,LF(CB

Toshiba Semiconductor and Storage

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Présentation du produit

Modèle de produit:	RN4987FE,LF(CB
Fabricant / marque:	Toshiba Semiconductor and Storage
Description du produit	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Livret des spécifications:	RN4987FE,LF(CB.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	278810 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 278810 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.105

10 pcs: $0.095

25 pcs: $0.068

100 pcs: $0.053

250 pcs: $0.033

500 pcs: $0.028

1000 pcs: $0.019

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Spécifications de RN4987FE,LF(CB

Modèle de produit	RN4987FE,LF(CB	Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
La description	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	278810 pcs	Fiche technique	RN4987FE,LF(CB.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	50V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)	Package composant fournisseur	ES6
Séries	-	Résistance - Base de l'émetteur (R2)	47 kOhms
Résistance - Base (R1)	10 kOhms	Puissance - Max	100mW
Emballage	Cut Tape (CT)	Package / Boîte	SOT-563, SOT-666
Autres noms	RN4987FE(T5LFT)CT RN4987FE(T5LFT)CT-ND RN4987FELF(CBCT RN4987FELF(CTCT RN4987FELF(CTCT-ND	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition	250MHz, 200MHz	Description détaillée	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 10mA, 5V	Courant - Collecteur Cutoff (Max)	500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max)	100mA

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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(UNIQUEMENT POUR LES CIRCUITS INTÉGRÉS, LA PROTECTION DE CIRCUIT, RF / IF et RFID, l'optoélectronique, les capteurs, les transducteurs, les transformateurs, les isolateurs, les commutateurs et les relais

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